Fabrication of the triode struture FEA using the directly grown CNTs on SiO2-Si substrate and field emission properties

초록

탄소 나노튜브의 디스플레이 응용을 위하여 Si기판상에 게이트를 갖는 삼극구조를 제조하고 선택적 위치에 탄소나노튜브 방출원이 직접 성장된 전계 전자 방출원을 제조하였다. 종래의 MICRO-TIP을 사용한 FED에서 게이트 전극 재료로 사용된 크롬 전극 대신 탄소나노튜브의 성장조건에서 안정한 새로운 게이트 전극 재료가 사용하였으며, 발광명인 anode 전극에는 500nm두께의 Mn-doped ZnS 발광 박막을 전자선 증착하였다. 제조된 FED에 대한 CL발광특성을 조사하고, 인가 전계에 따른 anode 전류 특성과 transconductance 특성을 분석하여 표시소자용 공정 및 응용성에 대하여 논의하였다.