상세 보기
'A Novel Gate-All-Around with Back-gate (GAAB) Structure with Highly Scalable in 3-D NAND Flash Memory' 연구 발표
- 제목
- 'A Novel Gate-All-Around with Back-gate (GAAB) Structure with Highly Scalable in 3-D NAND Flash Memory' 연구 발표
- 저자
- 송윤흡
- 발행일
- 2023-06-28
- 학회명
- 2023년 대한전자공학회 하계종합학술대회
- 개최지
- 롯데호텔 제주 중문