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Characteristics of Gate spacer SiNx film deposited using H2 and N2 plasma reactant via Remote Plasma atomic layer deposition

  • 전형탁
제목
Characteristics of Gate spacer SiNx film deposited using H2 and N2 plasma reactant via Remote Plasma atomic layer deposition
저자
전형탁
발행일
2019-11-19
학회명
2019년 추계학술대회 반도체/디스플레이 스마트 공정을 위한 소재/부품/장비 혁신 기술
개최지
한양대학교 종합기술원(HIT관) 6층

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