CeO2 입자의 전기적 거동변화가 STI CMP공정에 미치는 영향

초록

본 연구에서는 고집적 반도체 제조공정중 CeO2 입자의 전기적 거동 변화가 STI (Shallow trench isolation) 화학적 기계적 연마(이하 CMP: Chemical Mechanical Polishing)공정에 미치는 영향에 관한 연구를 수행하였다. CeO2 입자의 전기적 거동 변화를 관찰하기 위해 ESA(Electrokinetic Sonic Amplitude)를 이용하여 평가하였으며 CeO2 현탁액의 유동학적 거동과 입도분포와 상호 연관 해석하였으며 CMP공정에 미치는 영향을 관찰하였다.