유기소스 원자층 증착법으로 증착된 TiN박막의 특성 연구

초록

Cu는 낮은 비저항과 elecromigration에 대한 높은 저항력으로 ULSI소자의 metal층의 금속물질로써 Al을 대체할 좋은 물질로 여겨지고 있다. 그러나Cu는 반도체제조공정상에서 치명적인 불순물이기 때문에 Cu의 확산을 방지하기 위해서 확산방지막의 사용이 요구되어진다.ALD법은 증착 cycle의 횟수를 조절함으로써 쉽게 균일한 박막의 두께를 조절할 수 있다.