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Atomic layer epitaxy 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 자발형성 양자점의 전기적 특성

  • 김태환
제목
Atomic layer epitaxy 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 자발형성 양자점의 전기적 특성
저자
김태환
발행일
2003-04-25
학회명
2003년도 한국물리학회 연구논문발표회
개최지
연세대학교

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