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Properties of HfO2 gate dielectrics prepared by atomic layer depositon using HfCl4/H2O precursors
- 제목
- Properties of HfO2 gate dielectrics prepared by atomic layer depositon using HfCl4/H2O precursors
- 저자
- 안진호
- 발행일
- 2002-08-01
- 학회명
- AVS Topical Conference on ALD
- 개최지
- 서울