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Fringing field 효과를 이용한 금속 공간층을 갖는 metal-oxide-nitride-oxide-silicon 낸드플래쉬 기억소자의 전기적 특성

  • 김태환
제목
Fringing field 효과를 이용한 금속 공간층을 갖는 metal-oxide-nitride-oxide-silicon 낸드플래쉬 기억소자의 전기적 특성
저자
김태환
발행일
2010-10-20
학회명
2010년 한국 물리학회 가을학술논문 발표회
개최지
휘닉스 파크, 강원도 보광, Korea

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