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초록
폴리이미드와 아연 금속층과의 반응에 의해 폴리이미드 기지내에 분산된 반도체 산화물 양자점을 형성할 수 있었다. Curing 조건과 폴리이미드 종류에 따라 금속 산화물 입자가 어떻게 생성되고 제어되는지에 대해 연구하였다. DC 마그네트론 스퍼터와 evaporator를 이용하여 SiO2/Si, glass, quartz 기판 위에 Zn 층을 증착하였고 그 위에 BPDA-PDA type 과 ODPA-3SDA type 의 PAA(Polyamic acid)를 spin-coating 하였다. Solvent 제거를 위해 135℃ 에서 30분 동안 soft-baking을 하였고 질소 분위기의 tube furnace 에서 curing 하였다. Curing 조건 변화를 알아보기 위하여 온도와 유지시간을 변경하여 실험을 하였다. 형성된 입자의 크기, 분포도 및 구조를 알기 위하여 TEM(Transmission Electron Microscope)을 사용하여 특성분석을 하였고 UV-Visible Spectrophotometer 사용하여 광학특성을 분석 하였다. Curing 온도와 유지시간에 따라 산화물 양자점의 형성을 제어할 수 있었고 균일하고 조밀하게 분포되어 있는 아연 금속 산화물 양자점을 관찰할 수 있었다.
- 제목
- 폴리이미드 박막내에 분산된 아연 산화물 나노입자 형성 및 특성
- 저자
- 김영호
- 발행일
- 2005-04-21
- 학회명
- 대한금속재료학회 2005년 춘계학술대회
- 개최지
- 대구