ScholarWorks@한양대학교
조직
연구자
연구성과
저널
English
상세 보기
Enhancement of the electrical characteristics due to an inserted gate structure in FinFETs
김태환
Citation
APA
CHICAGO
MLA
VANCOUVER
IEEE
HARVARD
Export
XML (DC)
EXCEL
제목
Enhancement of the electrical characteristics due to an inserted gate structure in FinFETs
저자
김태환
발행일
2014-07-02
학회명
The 12th International Nanotech Symposium & Nano-Convergence Expo
개최지
Coex, Seoul, Korea
더보기