반 절연체 6H-SiC 반도체 방사선 검출기의 금속박막에 대한 고온처리영향

초록

최근 방사선 검출기 분야에서 상온화합물 반도체를 이용한 연구가 활발하게 진행중이며 이 중에서 탄화규소(SiC)는 상온뿐만 아니라 고온환경과 고선량 방사선 환경에서도 동작하는 특성을 가진 반도체 물질이다. 탄화규소는 1500도 이하에서는 열적 안정성이 뛰어나고 산화성분위기에서의 안정성도 뛰어나며 큰열전도도를 가지기때문에 고온에서 장시간의 안정성이 요구되는 환경에서한층더 유용하다. 본연구에서는 6H-SiC 웨이퍼를 10*10mm2 크기로 절단하고 Si-face에 Au/Ni를 증착하였다. 증착된 시편을 300도에서 10분 가열후에 표면을 관찰하였고 , 검출기를 제작한후에 알파선 반응을 측정하였다.