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초록
전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. 19.1∼95.2 MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu머쉬룸 범프 접속부는 15mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 1∼w4μm 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나 캡 표면의 Sn코팅층을 리플로우 처리한 Cu머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다.
키워드
flip chip; chip on glass; mushroom bump; contact resistance; thermal cycling; COG TECHNIQUE; TEMPERATURE; STRENGTH; GLASS; FILM
- 제목
- Contact Resistance and Thermal Cycling Reliability of the Flip-Chip Joints Processed with Cu-Sn Mushroom Bumps
- 저자
- Lim, Su-Kyum; Choi, Jin-Won; Kim, Young-Ho; Oh, Tae-Sung
- 발행일
- 2008-09
- 유형
- Article
- 저널명
- 대한금속·재료학회지
- 권
- 46
- 호
- 9
- 페이지
- 585 ~ 592