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STRAINED Si를 만들기 위한 SiGe LAYER 형성에 TEMPERATURE,GeH4GAS PRE-FLOW,GAS RATIO가 미치는 영향

  • 박재근
제목
STRAINED Si를 만들기 위한 SiGe LAYER 형성에 TEMPERATURE,GeH4GAS PRE-FLOW,GAS RATIO가 미치는 영향
저자
박재근
발행일
2003-11-21
학회명
2003한국재료학회 추계 학술발표대회 및 제1회 화합물반도체 심포지엄 논문 개요집
개최지
연세대학교

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