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EFFECT OF NANO-THICKNESS OF STRAINED Si GROWN ON SiGe-ON-INSULATOR FOR 50nm MOSFET`S ON THE ELECTRON MOBILITY BEHAVIOR
박재근
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제목
EFFECT OF NANO-THICKNESS OF STRAINED Si GROWN ON SiGe-ON-INSULATOR FOR 50nm MOSFET`S ON THE ELECTRON MOBILITY BEHAVIOR
저자
박재근
발행일
2003-04-26
학회명
춘계 한국 물리학회
개최지
연세대학교
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