ScholarWorks@한양대학교
조직
연구자
연구성과
저널
English
상세 보기
초저온 전자온도 플라즈마를 활용한 Gate-All-Around FET 제조 공정에서의 플라즈마 유발 손상 저감
정진욱
Citation
APA
CHICAGO
MLA
VANCOUVER
IEEE
HARVARD
Export
XML (DC)
EXCEL
제목
초저온 전자온도 플라즈마를 활용한 Gate-All-Around FET 제조 공정에서의 플라즈마 유발 손상 저감
저자
정진욱
발행일
2025-08-22
학회명
제69회 한국진공학회
개최지
Phoenix Island, Jeju, Korea
더보기